瑞萨半导体宣布将进军SiC功率半导体

据《Nikkei Asia》报道，瑞萨半导体宣布将进军SiC功率半导体的消息，预计将在日本群马县的高崎工厂进行生产。

瑞萨社长柴田英利表示，虽然瑞萨较晚进入SiC功率半导体市场，但是之前瑞萨在硅基IGBT领域等也是较晚投入，现在产品性能已受到市场肯定，SiC功率半导体也有望复刻IGBT领域的途径。他同时指出，瑞萨进军投入SiC功率半导体之后，日本在SiC功率半导体的市场占有率都有望进一步增长。

查阅相关调研报告获悉，SiC功率半导体在2021年市场规模高达1400亿日元（当前约71.26亿元人民币），预计到2030年将扩大到3.4万亿日元（当前约1730.6亿元人民币）。目前该领域主要玩家包括三菱电机、罗姆半导体、意法半导体和英飞凌等。

瑞萨在财报中指出，来自中国、欧洲等地区旺盛的电动车消费推高了对SiC、IGBT等功率半导体的需求。

此外，瑞萨决定重新启用于2014年关闭的山梨甲府工厂以生产IGBT，已完成进行12寸晶圆产线的生产设备投资，预计2024年上半年量产。瑞萨表示，电动车用IBGT领域瑞萨已有10%份额，甲府工厂投产后有望进一步扩大市场占有率。